
12月30日,“毅”家人英诺赛科(苏州)科技股份有限公司(简称:英诺赛科,代码:02577)正式在港交所上市,毅达资本收获年内第5家IPO企业。
英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。公司核心技术团队由众多资深的国际一流半导体专家组成,目标是以更低的价格,向客户提供品质一流、可靠性优异的GaN器件,并且实现GaN技术在市场的广泛应用。氮化镓作为第三代半导体的代表性材料,凭借在高频、耐高压、抗辐射以及高电子迁移率等方面的优势,在消费电子、新能源汽车、可再生能源及数据中心等下游市场展现出巨大的应用潜力。据弗若斯特沙利文的数据显示,2023年标志着氮化镓功率半导体产业进入指数级增长的元年,市场将迎来快速增长。预计到2028年,全球氮化镓功率半导体市场规模将达到人民币501亿元,在全球功率半导体市场的市占率将提升至10.1%,并占据全球功率半导体分立器件市场的24.9%,为业内企业提供了前所未有的发展机遇。英诺赛科作为全球领先的氮化镓厂商,拥有两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地,是全球产能最高的氮化镓厂商之一。公司专注于硅基氮化镓外延与器件的研发与制造,是全球功率半导体行业革命的引领者,也是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的IDM企业。从2021年至2023年,英诺赛科的收入复合年增长率高达194.8%。根据弗若斯特沙利文的数据,以折算氮化镓分立器件收益计算,截至2023年末,英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中的市场份额高达33.7%,位居第一。截至2024年6月30日,英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆良率已超过95%,并突破了每月12,500片晶圆的生产瓶颈,氮化镓分立器件累计出货量已超过8.5亿颗,市场份额遥遥领先,彰显了其在氮化镓领域的龙头地位。在消费级市场中,英诺赛科已经在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 灯照明驱动等方面发布产品方案,并与国内多家应用头部企业开展深度合作,实现量产,占据了市场的先导地位。祝贺英诺赛科登陆港交所!期待英诺赛科继续深化全球布局,加速技术迭代,扩大产能规模,强化产品组合,以更加优质的产品和服务满足客户需求,矢志不渝地引领氮化镓行业的高质量发展,为第三代半导体时代的发展贡献力量。



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